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國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)未來可期
目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的需求主要來自國(guó)外進(jìn)口的芯片。據(jù)中國(guó)海關(guān)數(shù)據(jù)顯示,整體上看近年來我國(guó)半導(dǎo)體器件進(jìn)口金額在逐年增加。在這個(gè)上升的
2021-04-08
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Q1交期疊加延長(zhǎng)8-12周,MCU最為緊缺
MCU仍是Q1最為緊缺的元器件,國(guó)際半導(dǎo)體大廠的交期普遍高達(dá)24-52周,但并非所有的型號(hào)都缺貨。以市場(chǎng)最緊俏的意法半導(dǎo)體MCU為例,大部分型
2021-04-07
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新興存儲(chǔ)技術(shù)商業(yè)化進(jìn)程帶來的變革
存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)的關(guān)鍵組件之一,由DRAM與Nand Flash所主導(dǎo)的主導(dǎo)的存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模已超過1600億美元。而隨著處理器性能的不斷提升,滿
2021-04-06
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DRAM內(nèi)存供不應(yīng)求,缺貨漲價(jià)將成為常態(tài)
在整個(gè)2021年自然年,DRAM需求不斷上升的趨勢(shì)會(huì)持續(xù)下去。預(yù)計(jì) 2021年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到5020億美元,增幅為12%。其中以DRAM和Nand
2021-04-02
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?內(nèi)存市場(chǎng)DDR5賽道上開啟競(jìng)速模式
眾所周知,基于DRAM自身的局限性,從DDR3到DDR4的更替花了6年左右,而從DDR4到DDR5則時(shí)隔八年之久,真可謂是千呼萬喚始出來。作為DDR4的后
2021-04-01
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代碼存儲(chǔ)器的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模呈現(xiàn)整體增長(zhǎng)的趨勢(shì):2013年市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到3000億美金;2017年上升到4100億美金;2018年沖高到4700億美金;2019年由于存儲(chǔ)
2021-03-31
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