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非易失性存儲器EEPROM
非易失性存儲器主要是用來存放固定數(shù)據(jù)、固件程序等一般不需要經(jīng)常改動的數(shù)據(jù)。目前主流非易失性存儲器主要有EEPROM、MRAM、FLASH、FRAM。E
2020-12-10
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NAND FLASH系統(tǒng)的權(quán)衡利弊
NAND FLASH是一種大眾化的非易失性存儲器,主要是因?yàn)樾⌒秃偷凸那覉怨棠陀谩1M管此技術(shù)適合現(xiàn)代存儲,但在將其列入較大系統(tǒng)的一部分時
2020-12-09
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2020年第三季Nand Flash營收僅微幅上升0.3%
根據(jù)集邦咨詢旗下半導(dǎo)體研究處表示,第三季Nand Flash產(chǎn)業(yè)營收達(dá)145億美元,季增0 3%,其中位元出貨季增9%,平均銷售單價則季減9%。
2020-12-07
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易失性存儲器SRAM基礎(chǔ)知識
存儲器概況存儲器是計算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,主要是用來存放程序和數(shù)據(jù)。存儲器按存儲特性可分為非易失和易失兩大類。目前常見的多為半導(dǎo)體
2020-12-03
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訪問SDRAM的低功耗優(yōu)化設(shè)計方案
為了降低DSP外部SDRAM存儲系統(tǒng)的功耗,針對DSP訪問片外SDRAM的功耗來源特點(diǎn),提出了基于總線利用率動態(tài)監(jiān)測的讀寫歸并方案。該方案動態(tài)監(jiān)測外
2020-12-01
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SRAM的容量擴(kuò)展
通常微處理器的數(shù)據(jù)總線為8位和16位或32位,而地址總線為16位或24位不等。當(dāng)靜態(tài)RAM的地址線和數(shù)據(jù)線不能與微機(jī)相匹配時,可用地址線擴(kuò)展和
2020-11-30
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