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長江存儲三季度投產(chǎn)NAND flash
為確保今年三季度能夠準時投產(chǎn)NAND flash,春節(jié)期間長江存儲的工廠依舊在加緊建設,隨著長江存儲投產(chǎn),中國可望打破當前三星在NAND flash行業(yè)一家獨大的局面。
2018-02-27
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DRAM今年仍將保持三成漲幅
根據(jù)DRAMeXchange調(diào)查顯示,2017年第四季的DRAM產(chǎn)業(yè)營收再創(chuàng)歷史新高。從價格方面來看,受到行動式內(nèi)存漲價影響,以及智能手機旗艦機種的旺季效應,以三星為首的DRAM廠提高行動式內(nèi)存報價
2018-02-26
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移動應用的發(fā)展催生3D NAND快閃存儲器
智能手機使用者在不斷研究更好的移動體驗,除了提升裝置的處理性能以外,還需要更大容量的儲存,才足以支撐5G、擴增實境(AR)、人工智能(AI)、高解析視訊等以數(shù)據(jù)為導向的新一代應用。以
2018-02-08
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Flash 儲存器介紹
FLASH存儲器又稱為閃存,是一種長壽命的非易失性的存儲器,在斷電情況下仍能保留所存儲的數(shù)據(jù)信息,數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位,區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
2018-02-06
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紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地助力我國存儲器領域的發(fā)展
去年年初總投資300億元美元的紫光南京半導體產(chǎn)業(yè)基地和總投資300億元人民幣的紫光IC國際城項目已經(jīng)正式開工。這是紫光集團繼武漢長江存儲項目開工后,又一“航母級”項目拓土動工。
2018-02-05
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中國設計出新型態(tài)光敏感性半導體存儲器
近日有研究團隊基于原子級薄度的半導體研究設計出一種存儲器,除了具有良好的性能,也能夠在完全不需要電力輔助的情況下,用光線就能消除儲存資料,團隊認為這種新的存儲器在系統(tǒng)整合
2018-02-02
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