隨著半導(dǎo)體技術(shù)的飛速發(fā)展,各種存儲(chǔ)器相繼推出,性能不斷提高。眾所周知,普通SRAM在電源掉電后,其中的數(shù)據(jù)隨即消失,再次加電后，存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)為隨機(jī)數(shù)。這對(duì)于需要保存大量現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)及各種系統(tǒng)參數(shù)的應(yīng)用系統(tǒng)來(lái)說(shuō)無(wú)疑是不允許的。雖然EPROM的數(shù)據(jù)不會(huì)因掉電而丟失，但EPROM只能用專(zhuān)用的寫(xiě)入器寫(xiě)入數(shù)據(jù),無(wú)法替代相應(yīng)的SRAM。

SRAM不存在刷新的問(wèn)題。一個(gè)SRAM基本存儲(chǔ)單元融個(gè)晶體管和兩個(gè)電阻器構(gòu)成,它并不利用電容器來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而是通過(guò)切換晶體管的狀態(tài)來(lái)實(shí)現(xiàn)的，如同CPU中的晶體管通過(guò)切換不同的狀態(tài)也能夠分別代表0和這兩個(gè)狀態(tài)正是因?yàn)檫@種結(jié)構(gòu),所以SRAM的讀取過(guò)程并不會(huì)造成SRAM內(nèi)存儲(chǔ)的的信息的丟失，當(dāng)然也就不存在什么刷新的問(wèn)題了。
 
EEPROM和FLASH是電可擦除的,可以部分替代相應(yīng)的SRAM,但EEPROM和FLASH寫(xiě)入速度(ms級(jí))相對(duì)于SRAM(ns級(jí))太慢,無(wú)法存放計(jì)算產(chǎn)生的中間結(jié)果,無(wú)法高速隨機(jī)地寫(xiě)入大量數(shù)據(jù)，EEPROM和FLASH寫(xiě)入次數(shù)有限(十萬(wàn)次左右),而SRAM可以無(wú)限次寫(xiě)入,更關(guān)鍵的是:除非對(duì)EEPROM和內(nèi)存Flash的片選信號(hào)用專(zhuān)門(mén)的電路加以控制,上、掉電期間會(huì)產(chǎn)生誤寫(xiě)。盡管FLASH有硬、軟件寫(xiě)保護(hù),但其保護(hù)算法使用起來(lái)很不方便，效果也不理想,在大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)合中無(wú)法替代SRAM。
 

關(guān)鍵詞：SRAM