ISSI IS61C64AL系列是一種高速且低功耗的64K高速SRAM存儲(chǔ)芯片。它采用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造。這種高度可靠的工藝與創(chuàng)新的電路設(shè)計(jì)技術(shù)相結(jié)合，以低功耗實(shí)現(xiàn)了10ns的訪問(wèn)時(shí)間。當(dāng)CE為高電平（取消選擇）時(shí)，器件采用待機(jī)模式，在該模式下，CMOS輸入電平的功耗可降至150µW（典型值）。通過(guò)使用一個(gè)芯片使能輸入CE，可以輕松擴(kuò)展內(nèi)存。有效的低寫(xiě)入使能(WE)控制存儲(chǔ)器的寫(xiě)入和讀取。
 
IS61C64AL高速訪問(wèn)時(shí)間為10ns，具有1mW（典型）CMOS待機(jī)和125mW（典型）運(yùn)行的CMOS低功耗操作。TTL兼容接口電平，該系列SRAM芯片完全靜態(tài)操作：無(wú)時(shí)鐘或刷新。IS61C64AL采用JEDEC標(biāo)準(zhǔn)28引腳、300-mil SOJ和TSOP封裝。
 
ISSI公司主要是以汽車(chē)和通信、數(shù)字消費(fèi)以及工業(yè)和醫(yī)療市場(chǎng)設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)和銷(xiāo)售的高性能集成電路的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者。主要產(chǎn)品是高速低功耗 SRAM 和中低密度 DRAM。該公司還設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售 NOR 閃存產(chǎn)品以及高性能模擬和混合信號(hào)集成電路。


關(guān)鍵詞： SRAM  高速SRAM IS61C64AL