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SRAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)原理
靜態(tài)RAM的基本構(gòu)造塊是SRAM存儲(chǔ)單元。通過(guò)升高字線的電平觸發(fā)存儲(chǔ)單元,再通過(guò)位線對(duì)所觸發(fā)的存儲(chǔ)單元進(jìn)行讀出或?qū)懭?。在靜態(tài)CMOS存儲(chǔ)器中
2020-06-04
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ISSI正規(guī)代理高速低功耗SRAM芯片IS62WV102416ALL
ISSI為汽車,數(shù)字消費(fèi)者以及工業(yè)和醫(yī)療主要市場(chǎng)設(shè)計(jì)。其主要產(chǎn)品是高速低功耗SRAM芯片和中低密度DRAM存儲(chǔ)器。還設(shè)計(jì)和銷售NOR閃存產(chǎn)品以及
2020-06-03
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低電壓SRAM的重要性
隨著SOC 技術(shù)的發(fā)展,CMOS 工藝尺寸不斷縮小,芯片集成度越來(lái)越高,使得單位面積芯片的功耗不斷提高。近年來(lái),便攜式電子產(chǎn)品如智能手機(jī)
2020-06-02
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ISSI IS62WV20488EALL低電壓2Mx8并口SRAM
ISSI IS62WV20488EALL BL和IS65WV20488EALL BLL是高速16M位靜態(tài)RAM,組織為2M字乘8位。它主要是使用ISSI的高性能CMOS技術(shù)制造的。這種高度
2020-05-29
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SRAM電路工作原理
近年來(lái),片上存儲(chǔ)器發(fā)展迅速,根據(jù)國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖(ITRS),隨著超深亞微米制造工藝的成熟和納米工藝的發(fā)展,晶體管特征尺寸進(jìn)一步縮
2020-05-28
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低功耗SRAM主要三部分功耗來(lái)源
隨著SOC 技術(shù)的迅猛發(fā)展,由電池供電的便攜式電子產(chǎn)品得到了廣泛應(yīng)用,如智能手機(jī)、運(yùn)動(dòng)手環(huán)、ipad、部分汽車電子等。近年來(lái)半導(dǎo)體工藝已
2020-05-27
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