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ISSI具有糾錯功能的Async SRAM
近年來,對精密半導(dǎo)體存儲器的需求已從個人計算機市場擴展到了汽車,通信和數(shù)字消費,工業(yè)及醫(yī)療市場。這些產(chǎn)品需要增加內(nèi)存容量,以幫助處
2020-05-26
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SRAM市場動向
當(dāng)今世界環(huán)境保護已蔚然成風(fēng),力求節(jié)約能源,因此強烈要求電子系統(tǒng)低功耗化和低電壓化。而且由于制造SRAM的半導(dǎo)體工藝精細(xì)化,SRAM要求低電
2020-05-25
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SRAM市場與技術(shù)
靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM由于是利用觸發(fā)器電路作為存儲單元,只要不切斷其供電電源,它就能永遠(yuǎn)保存所寄存的數(shù)據(jù)信息。因此 SRAM與通常的
2020-05-22
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如何減小SRAM讀寫操作時的串?dāng)_
靜態(tài)存儲器SRAM是一款不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲數(shù)據(jù)的存儲器。在SRAM 存儲陣列的設(shè)計中,經(jīng)常會出現(xiàn)串?dāng)_問題發(fā)生。那么要如何減小
2020-05-19
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采用分級字線結(jié)構(gòu)可提高SRAM讀寫速度及降低電路動態(tài)功耗
采用分級字線結(jié)構(gòu)的存儲器將整個存儲陣列劃分為若干個相同的子陣列。與非分級字線結(jié)構(gòu)相比,它需要采用多級的字線譯碼才能完成對存儲單元的
2020-05-18
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SRAM中的功耗來源
在CMOS電路中,功耗的來源主要有兩個方面(1)靜態(tài)功耗,即反向漏電流造成的功耗;(2)動態(tài)功耗,由電路作開關(guān)轉(zhuǎn)換時進入過渡區(qū)由峰值電流
2020-05-15
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